擴散焊接是通過原子遷移實現的固相過程，沒有組件的宏觀變形。初始表面平整度和清潔度是必不可少的。要求表面粗糙度值小于 0.4 微米，并且在粘合之前必須在丙酮中清潔樣品。通常，在施加壓力的情況下，過程變量的范圍從中等溫度下的幾個小時 (0.6T m) 到高溫下的幾分鐘 (0.8T m )。該工藝最常用于航空航天工業中的鈦。然而，陶瓷可以擴散焊接到自身和金屬上。
除非存在擴散助劑或（更常見的）第二相，否則很難實現陶瓷-陶瓷擴散焊接。這些是晶界處最典型的玻璃相。
焊接薄墊片以構建復雜的 3D 結構是該技術的[敏感詞]應用之一。這已經實現了氧化鋁組件的快速原型制作。有人可能會說這是燒結；實際上，擴散焊接和燒結的機制幾乎沒有區別。
擴散焊接通常在通過元件或感應單元加熱的單軸壓力機中進行（可以使用熱等靜壓，但需要更復雜的夾具）。這也對要處理的組件的大小提出了限制。然而，最近的一項創新使用微波加熱，這已被證明可以在幾分鐘內產生出色的粘合。
連接不同材料時通常會增加一個復雜因素 - 熱膨脹系數 (CTE) 的差異。這會導致在界面處產生應變，從而導致粘合過早失效。這可以通過確保正確設計粘合線和/或通過使用中間層來克服，中間層的 CTE 介于待連接材料的中間層，并且通常具有低彈性模量。適當堆疊中間層（厚度從微米到毫米不等）可以使擴散結合發生。
在電子工業中，氧化鋁和氮化鋁已使用薄金夾層與銅結合。金是一種非常好的中間層，并且可以在低至 300°C 的溫度下產生擴散結合。
擴散——或更準確地說是離子遷移——形成了靜電鍵合的基礎。靜電粘合要求被連接的表面必須盡可能平坦和清潔。待粘合的組件在真空中加熱并施加壓力。典型條件是 3MNm -2和 400°C。當達到所需溫度時，施加約 100V 的直流電壓，金屬部件保持正電壓。非金屬成分必須包含移動離子，例如 Na+。該工藝已成功應用于β-氧化鋁等玻璃和陶瓷。
靜電鍵合的硅玻璃換能器
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