1.本文涉及一種真空釬焊材料及其使用的加熱器釬焊方法。例如陶瓷加熱器。
更具體地說，本發明應用不同的焊接材料、溫度、惰性氣體和真空度用于加熱器的釬焊。
2.相關技術說明 在半導體制造設備的制造工藝中，用于加熱半導體晶片的加熱器用于半導體薄膜的成膜工藝、蝕刻工藝、抗蝕劑膜的烘烤工藝等。
陶瓷加熱器因其優異的溫度可控性以及對半導體器件布線小型化和提高晶圓熱處理溫度精度的需求而得到廣泛應用。
已經使用了多種技術來改善執行這些功能的陶瓷加熱器的性能。
其中一種技術是釬焊，它是當今快速工業發展過程中應用最廣泛的連接技術之一，特別是在航空航天，汽車，制冷和空調，家用電器中，在本發明的前半部分被廣泛使用并且被廣泛使用，因為它們可以與不同的金屬零件焊接，甚至可以與不同的尺寸粘接，并且比其他粘接方法具有相對強的焊接強度并可以獲得美觀精致的焊接部件技術。
將詳細描述傳統陶瓷加熱器的釬焊技術。首先，將要釬焊的產品放入腔室并關閉門。然后，在腔室中形成約760托或數十托至幾百托的真空，用于在泵和工作腔之間形成真空的連接管用閥門關閉，以便不再形成真空，然后使用加熱元件從腔室外部加熱到預定溫度， 使用將氫氣（H2）氣體注入腔室的方法以防止雜質進入腔室。
然而，釬焊到這種傳統的陶瓷加熱器上存在諸如由于外部空氣進入腔室和注入氫氣以防止雜質流入和施加到腔室的真空度而在陶瓷加熱器表面發生裂紋缺陷（白化現象）等問題。
這個問題是制造半導體缺陷的嚴重原因，因此必須加以糾正。
本文是為了解決如上所述的常規陶瓷加熱器的釬焊相關問題而做出的，本文的目的在于提供一種通過釬焊加熱器的組成部分來防止加熱器表面開裂的方法，另一個目的是提供一種能夠防止加熱器表面變白的釬焊材料，以防止產生的裂紋缺陷。
為了達到上述目的，本發明的釬焊材料為Cr、B、Si、Fe、C和Ni混合得到的材料。釬焊材料為Cr重量%的7.0%、B重量的3.1%、Si的4.5重量%、Fe重量的3.0%、C重量的0.06%和Ni重量的82.34%的混合物。和盤狀形狀。為了達到上述目的，加熱器釬焊方法為加熱器釬焊方法。陶瓷加熱器包括用于加熱加熱器的加熱板、連接到連接器以提供加熱器操作電源的電源線棒、用于在加熱器中產生等離子體的射頻棒和射頻天線，天線和射頻棒之間的粘合部分是通過注入預定的釬焊材料形成的，形成預定的溫度和預定的真空度， 并注入惰性氣體。腔室的真空度為10-1托至10-9托本發明的腔室溫度設置為500至2000°C。 將N2、Ar和He任一種的惰性氣體注入腔室 應用釬焊的加熱器由選自Al2O3組成的組的材料制成， AlN、Y2O3、SiC、BN、ZrO2、（RF）、不銹鋼（STS）、鋁（Al）、鈦（Ti）等用于本發明的加熱板、電源棒、射頻天線和射頻棒的釬焊。、鎳 （Ni）、鉻鎳鐵合金、鉬 （Mo） 和鎢 （W）。另一個實施方案，選擇性地形成具有預定深度的加熱板和粘合到其上的凹槽的部件部分，并將釬焊材料填充并粘結到該凹槽上。
根據本文的釬焊材料，可以通過防止加熱器表面變白來防止開裂。根據本發明的加熱器釬焊方法，加熱器表面的所有真空度、溫度、開裂缺陷都可以通過釬焊來防止，從而均勻地加熱半導體晶片。根據真空釬焊材料的加熱器釬焊方法，可以通過改善加熱器特性來提高加熱器的壽命，從而可以連接經濟優勢。
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